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aln烧结
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氮化铝陶瓷常见的烧结方式 知乎
2021年4月26日 要制备高热导率的AlN陶瓷，在烧结工艺中必须解决两个问题：是要提高材料的致密度，第二是在高温烧结时，要尽量避免氧原子溶入的晶格中。 常见的烧结方法如下： 1、常压烧结 常压烧结是AlN陶瓷传统的制备工艺。 在常压烧结过程中，坯体不受外加压力作用， 2024年3月12日 AlN烧结助剂一般是碱金属氧化物和碱土金属氧化物，烧结助剂主要有两方面的作用：一方面形成低熔点物相，实现液相烧结，降低烧结温度，促进坯体致密化；另一方面，高热导率是AlN基板的重要性能，而实现AlN基板 氮化铝陶瓷基板烧结三大关键因素：助剂、工艺及气氛2017年8月28日 由氮化铝粉末制备氮化铝陶瓷坯体，需要利用成型工艺把粉体制备成坯体，然后再进行烧结工作。 氮化铝成型工艺主要有干压成型、等静压成型、流延法成型和注射成型等 氮化铝（AlN）陶瓷常见的坯体成型与烧结方法概述 2021年4月20日 AlN陶瓷因其高热导率、高强度、线膨胀系数与硅接近、介电常数小、耐高温和耐腐蚀性能优异而被用作芯片基板和封装材料。 主要从烧结技术和烧结助剂对AlN陶瓷性能影响 AlN陶瓷烧结技术及性能优化研究进展
氮化铝（AlN）陶瓷常见的坯体成型与烧结方法概述粉末
2021年5月27日 由氮化铝粉末制备氮化铝陶瓷坯体，需要利用成型工艺把粉体制备成坯体，然后再进行烧结工作。 氮化铝成型工艺主要有干压成型、等静压成型、流延法成型和注射成型等 摘要: 采用纯纳米AlN粉和掺杂质量分数3%Y 2 O 3 的纳米AlN粉为原料，经放电等离子烧结工艺制备AlN陶瓷，研究了两类AlN陶瓷的相对密度、微观组织、力学性能和导热性能。放电等离子烧结制备细晶AlN陶瓷 USTB2024年4月1日 氮化铝（Aluminum Nitride，简称AlN）是一种重要的无机材料，具有优良的导热性、电绝缘性和化学稳定性，因此在电子器件、照明、散热器等领域有广泛应用。氮化铝AlN的发展和制备方法 Around Physics2024年9月20日 %PDF15 %âãÏÓ 190 0 obj > endobj 231 0 obj >/Filter/FlateDecode/ID[CD7499AFEFEEC30DF0C78>84AC745BD50C0E4EAEE63B2EF7A7D14C>]/Index[190 85]/Info 189 0 R 氮化铝陶瓷的制备及研究进展 hanspub
Research Progress in Shaping Technology of AlN
2020年12月1日 静压成型高性能 AlN 陶瓷，成型坯体烧结 后所得 AlN 陶瓷热导率和弯曲强度分别为 176 W m 1 K 1 和 455 MPa。Nakano 等 [15] 以 1wt% 的 Y 2 O 3 为烧结 助剂 2017年8月28日 氮化铝（ AlN）是一种六方纤锌矿结构的共价键化合物，晶体结构和微观组织如图1所示。 室温强度高、热膨胀系数 小、抗熔融金属侵蚀的能力强、介电性能 良好，这些得天独厚的优点使其成为高导热材料而引起国内外的普遍关注。 作为高性能的介电陶瓷，氮化铝可以取代碳化硅，甚至部分取代 氮化铝（AlN）陶瓷常见的坯体成型与烧结方法概述 2023年3月31日 高导热氮化铝基片的烧结工艺重点包括烧结方式、烧结助剂的添加、烧结气氛的控制等。由于AlN属于共价化合物，自扩散系数小，烧结致密化非常困难，通常需要使用稀土金属氧化物和碱土金属氧化物作为烧结助剂来促进烧结，但仍需要1800℃以上的烧结温度。氮化铝（AlN?）陶瓷基板的制备工艺 知乎6 天之前 氮化铝(AlN)陶瓷具有优良的热导率、电绝缘性能和介电性能，最重要的是其与硅的热膨胀系数相近，是较为理想的可用于基板和电子器件封装的半导体材料。本文综述了氮化铝的性能、陶瓷成型、烧结等 Aluminum nitride (AlN) ceramics have excellent thermal 氮化铝陶瓷的制备及研究进展 汉斯出版社
AlN陶瓷高温热压烧结工艺及其性能的研究 百度学术
摘要： AlN(氮化铝)陶瓷具有各种优异的性能,尤其是高热导率和低介电性能,使其在电子基板封装材料,耐热材料等多个领域都有广泛的应用市场上多用常压烧结工艺来制备AlN陶瓷,但是该烧结工艺制备出的AlN陶瓷性能不佳,若想制备出热导率较高的烧结体则需要很高的烧结温度和较长的保温时间, 2018年2月8日 AlN陶瓷基片烧结曲线的研究与优化Keywords：AlN ceramic substrate;liquid phase sintering;holding time;sintering temperature;sintering curveAlN 属于共价键化合物，是一种综合性能十分优越的陶瓷材料。其热导率是氧化铝的 首页 文档 视频 音频 文集 文档 AlN陶瓷基片烧结曲线的研究与优化 百度文库2017年8月21日 由于添加氧化物，会引入氧杂质，不利于 AlN基板的热学性能与机械性能的提高，如CaC 2 助烧剂与 AlN反应改变AlN与液相的界面自由能，影响AlN晶粒的生长和致密化。 图2为不同烧结助剂对AlN陶瓷的密度和抗弯强度的影响。 图 2 不同烧结助剂对烧结AlN陶瓷密度和抗弯 氮化铝（AlN）烧结助剂的选择方法及分类 360powder2021年1月19日 目前AlN基片较常用的烧结工艺一般有5种，即热压烧结、无压烧结、放电等离子烧结(SPS)、微波烧结和自蔓延烧结。 （1） 热压烧结 热压烧结是在加热粉体的同时进行加压，利用通电产生的焦耳热和加压造成的塑性变形来促进烧结过程的进行。高导热氮化铝基板性能如此出众，你了解它的烧结工艺吗要闻
氮化铝粉末制备方法及研究进展 USTB
2021年8月10日 此外，针对AlN 这种自扩散系数小、烧结温度要求高（1900 ℃以上） 的材料[5]，纳米尺寸的AlN粉末由于具有高表面能，在低温烧结致密化过程中展现出独特的优势[6‒9]。同时，晶粒尺寸影响着材料的最终性能，利用纳 米AlN粉末有望制备出具有纳米晶粒尺寸2024年3月12日 烧结气氛 目前，AlN陶瓷烧结气氛有3种：中性气氛、还原型气氛和弱还原型气氛。中性气氛采用常用的N2、还原性气氛采用CO，弱还原性气氛则使用H2。在还原气氛中，AlN陶瓷的烧结时间及保温时间不宜过长，且其烧结 氮化铝陶瓷基板烧结三大关键因素：助剂、工艺及气氛分析烧结助剂在低温烧结制备高热导率AlN陶瓷过程中的作用和机理;综述AlN低温烧结助剂的研究实践;介绍烧结助剂的选择原则和几种不同烧结助剂体系对AlN陶瓷材料的烧结致密度与热导率的影响 中文核心期刊; 中国科技核心期刊; 低温烧结氮化铝陶瓷烧结助剂的研究进展 USTB氮化铝因高导热和绝缘性得到广泛应用，目前全球氮化铝应用市场处于高速成长期，对氮化铝的需求也在持续增长。氮化铝粉末是制备氮化铝陶瓷的关键原料，其性质对后续制备的氮化铝陶瓷性能有决定性影响。本文整理对比了微米级与纳米 氮化铝粉末制备方法及研究进展 USTB
北科大：氮化铝粉末制备方法的最新研究进展
2021年9月2日 同时，纳米AlN粉末的发展将充分发挥小尺寸颗粒高比表面能的优势，提高烧结驱动力，减少烧结助剂的添加，可使制备得到AlN陶瓷具有高导热的同时具有更加细小的晶粒组织，这将进一步提高AlN陶瓷的综合性能。 制备纳米AlN粉末的方法众多且各具 2023年3月31日 通过以下三种途径可以获得致密的高性能氮化铝陶瓷： （1）使用超细粉；（2）热压或等静压；（3）引入烧结助剂。AlN基片较常用的烧结工艺一般有5种，即热压烧结、无压烧结、微波烧结、放电等离子烧结和自蔓延烧结。氮化铝（AlN ）陶瓷基板的制备工艺LTCC 亿瓷新材料摘要： 电力电子装备的功率密度不断增大,传统的散热基板已满足不了热耗散性的要求,AlN陶瓷具有热导率高,线膨胀系数与Si接近,电性能优良,机械性能好等明显的综合优势,作为A1N陶瓷的典型产品,AlNDBC具有热导率高,载流能力强等特点,氮化铝基陶瓷覆铜板将成为新的发展趋势本论文采用2种氧化方式对 AlNDBC烧结前处理与工艺优化 百度学术以自蔓延高温合成的AlN粉体为原料, 用六面顶压机在高压(31～50GPa)下实现了未添加烧结助剂的AlN陶瓷体的烧结 研究了烧结工艺参数对AlN烧结性能的影响 用XRD、SEM对AlN高压烧结体进行了表征 研究表明: 高压烧结能够有效降低AlN陶瓷的烧结温度并缩短 AlN陶瓷的高压烧结研究
高压烧结AlN陶瓷的残余应力研究 Journal of Functional
2018年1月25日 利用六面顶技术,在50 GPa/1 700 ℃/75～125 min条件下高压烧结制备了无烧结助剂的AlN陶瓷块体材料。 利用微区拉曼光谱对其残余应力进行了测量,研究了烧结时间对其残余应力的影响,并探讨了残余应力产生的原因及消除的方法。2024年4月1日 烧结过程中，通常会在高温下进行，使得凝胶体中的氮化铝前体发生晶化和结合，形成致密的氮化铝陶瓷结构。 精加工（可选） 根据需要，可以对烧结后的氮化铝陶瓷进行进一步的精加工，例如打磨、抛光或涂层等，以达到所需的表面形貌和性能。氮化铝AlN的发展和制备方法 Around Physics2024年4月12日 图6 AlN基板高温烧结试验前后的实物对照图 工艺B条件下外观颜色基本均匀一致，符合产品烧结要求，而工艺A条件下产品边缘正常，中间区域明显偏暗。因此，优化气体流量和压强，形成一定强度的气流场，利于改善陶瓷基板外观一致性。 4 总结 HTCCAlN陶瓷基板高温烧结设备与烧结工艺曲线上海陶瓷展 摘 要: 对YF 3CaF 2 烧结助剂体系的氮化铝(AlN)低温烧结过程中液相向表面迁移的现象和表层晶粒生长进行了研究， 同时分析讨论了液相迁移的机制。AlN低温烧结过程中液相向表面的迁移， 有利于减少晶界相， 提高其热导率。 然而， 液相向表面过量迁移和富集则导致了表层晶粒的异常生 氮化铝陶瓷低温烧结过程中的液相迁移与表层晶粒生长傅仁利
烧结助剂添加方式对AlN陶瓷力学性能的影响【维普期刊官网
摘要 通过直接添加与原位生成两种方式引入Y2O3作为烧结助剂,热压烧结制备了AlN陶瓷;研究了添加方式及添加量对AlN陶瓷显微结构和力学性能的影响。 结果表明:原位生成烧结助剂的方式更有利于AlN陶瓷的致密化,特别是当原位生展开更多 A1N ceramics were fabricated by hotpressing with Y203 as sintering additive 2024年10月23日 如前面提到的，AlN基片较常用的烧结工艺有热压烧结、无压烧结、微波烧结、放电等离子烧结和自蔓延烧结等，其中热压烧结是目前制备高热导率致密化AlN陶瓷的主要工艺 。（五）后处理（以HTCC为例的表面改性 氮化铝共烧基板制造工艺的关键技术与氮化铝基板水基清洗剂 2024年7月24日 总的来讲，AlN粉体极易水解，一方面给其运输、存储带来了困难，更重要的是AlN粉体水解后，其N含量降低，将显著降低AlN陶瓷的性能；同时，AlN粉体的易水解性也阻碍了AlN陶瓷水基成型工艺的发展。粉体改性破氮化铝“水解之谜”你家的氮化铝“防水”做好了吗？ 中国粉体网氮化铝（AlN）陶瓷常见的坯体成型与烧结方法概 述 氮化铝（AlN）是一种六方纤锌矿结构的共价键化合物，晶体结构和微 观组织如图 1 所示。室温强度高、热膨胀系数小、抗熔融金属侵蚀的能力 强、介电性能良好，这些得天独厚的优点使其成为高导热材料而引起国内 外的普遍关注。【精品文章】氮化铝 (AlN)陶瓷常见的坯体成型与烧结方法概述
【精品文章】氮化铝(AlN)烧结助剂的选择方法及分类百度文库
【精品文章】氮化铝(AlN)烧结助剂的选择方法及分类 二、烧结助剂的作用原理 烧结助剂为某些稀土金属、碱土金属和碱金属等的化合物，例如Y2O3、CaO、CaF2、Li2O 等，其能有效促进 AlN 粉末的烧结，有助于提高烧结样品的热导率。SPS烧结AlNMgOLa2O3复合掺杂多晶Si3N4 透明陶瓷一、引言 随着科技的发展，透明陶瓷材料因其独特的光学性能和机械性能，在光电子器件、激光器、光学窗口等领域得到了广泛的应用。多晶Si3N4透明陶瓷作为一种重要的陶瓷材料，其性能的优化和改进一直 《SPS烧结AlNMgOLa2O3复合掺杂多晶Si3N4透明陶瓷 2011年2月1日 摘要 分别以Y2O3、Sm2O3和Dy2O3为烧结助剂，在1700℃的较低烧结温度下通过放电等离子烧结制备致密氮化铝陶瓷。研究了三种烧结添加剂对AlN陶瓷的相组成、微观结构和导热系数的影响。结果表明，这些烧结添加剂不仅通过液相烧结机制促进了 放电等离子烧结氮化铝陶瓷的显微组织和热导率,Materials 2021年1月27日 在AlN烧结过程中，添加稀土多相复合烧结助剂有利于形成低温液相，降低烧结温度，提高烧结致密度，并净化AlN晶界，从而能获得较高的热导率，是AlN陶瓷材料实现低温常压烧结的重要途径之一。氮化铝陶瓷从高温到低温烧结，就差个烧结助剂！要闻资讯
Y2O3和Dy2O3对氮化铝陶瓷显微组织和机械性能的影响 X
2006年12月1日 摘要 研究了Y2O3 和Dy2O3 两种添加剂对AlN 陶瓷烧结和力学行为的影响。实验结果表明，在AlN陶瓷中加入稀土可以降低烧结温度 2021年9月19日 该材料是共价键合的，无需液体成型添加剂的帮助即可抗烧结。通常，诸如 Y 2 O 3或 CaO 之类的氧化物允许在 1600 1900 °C 之间的温度下实现烧结。关键属性 AlN 可抵抗大多数熔融金属的侵蚀，尤其是铝、锂和铜 它 氮化铝 / 氮化铝 (AlN) 特性和应用 知乎2023年4月3日 AlN 的晶体结构决定了其出色的热导性和绝缘性。根据《氮化铝陶瓷的流延成型 及烧结体性能研究》的研究中提到，由于组成 AlN 分子的两种元素的原子量小，晶体 结构较为简单，简谐性好，形成的 AlN 键键长短，键能 氮化铝行业研究：AlN应用性能出众，国产替代机遇 2019年7月30日 图2是AlN高压烧结体的E22拉曼峰漂移及其残 余应力随烧结时间变化的情况根据上述计算结果以 及图2可以知道:在高压烧结AlN内部,残余压应力 与烧结时间基本成正比关系 图2 烧结时间对AlN陶瓷E22峰飘移及残余应力的 影响高压烧结AlN 陶瓷的残余应力研究∗
氮化铝陶瓷 百度百科
氮化铝陶瓷也必将在许多领域得到更为广泛的应用！虽然多年来通过许多研究者的不懈努力，在粉末的制备、成形、烧结等方面的研究均取得了长足进展。但就截止2013年4月而言，氮化铝的商品化程度并不高，这也是影响氮化铝陶瓷进一步发展的关键因素。2020年12月19日 钧杰陶瓷 3、高压烧结 AlN陶瓷高压烧结与热压烧结类似，只不过施加的外来压力更高，一般称在大于1GPa高压下进行的烧结为高压烧结。其不仅能够使材料迅速达到高致密度，具有细小晶粒，甚至使晶体结构甚至原子、电子状态发生变化，从而赋予材料在通常烧结或热压烧结工艺下所达不到的性能。氮化铝陶瓷是任何烧结出来的 知乎摘要： AlN以其优异的高热导率,与Si相匹配的热膨胀系数及其它优良的物理化学性能受到了国内外学术界的广泛关注,被誉为新一代高密度封装的首选基板材料本文详细综述了AlN陶瓷的导热机理和无压烧结工艺等方面的研究进展,并介绍了烧结助剂的选取原则和AlN陶瓷热导率与温度的关系,以及 无压烧结高导热AlN陶瓷的研究进展 百度学术用于半导体制造的氮化铝（AlN）部件 活用氮化铝（AlN）高导热率和高耐腐蚀性，将其用于半导体制造设备部件。 MARUWA以培育多年的材料技术为基础，使用适合产品使用和形状生产的原始烧结工艺，生产半导体制造设备和医疗设备零件。MARUWA氮化铝（AlN）产品 寻找产品 MARUWA CO, LTD
AlN陶瓷低温烧结中的液相迁移 百度学术
我们已与文献出版商建立了直接购买合作。 你可以通过身份认证进行实名认证，认证成功后本次下载的费用将由您所在的图书馆支付 您可以直接购买此文献，1~5即可下载全文，部分资源由于网络原因可能需要更长时间，请您耐心等待哦~2021年9月7日 因此，纯AlN陶瓷很难烧结致密化，难以获得高的热导率和良好的机械强度。因而，AlN陶瓷烧结 需要保护气氛以及添加少量的烧结助剂，目前采用最多的仍为添加烧结助剂的氮气保护下的常压烧结。参考来源： [1]袁文杰等高热导率氮化铝陶瓷的 【原创】 氮化铝陶瓷烧结技术大揭秘 中国粉体网2016年8月1日 摘要 以 CeO 2 为烧结助剂，在 1900 °C 的烧结温度下制备了 AlN 陶瓷。研究了CeO 2 含量对显微组织、密度、热导率和硬度的影响。CeO 2 的添加对AlN陶瓷的致密化产生显着影响，从而对微观结构产生显着影响。CeO 2 作为烧结助剂的氮化铝陶瓷的结构、热和机械性能