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多晶硅母合金掺杂原理

多晶硅母合金掺杂原理

认识半导体XI——直拉法硅单晶的掺杂知乎

2022年9月26日根据杂质元素在与Si原子形成共价连接时是导致体系内电子的增加还是空穴的增加，可将掺杂杂质进一步细分为施主 (donor，提供多余电子，又叫n型掺杂，如磷、砷、锑等)和受主 (acceptor，提供多余空穴，又叫p型掺杂，（1）元素掺杂即直接将纯杂质元素加入硅中。它适于制备电阻率102~103Ωcm的重掺杂硅单晶。（2）母合金掺杂是将掺杂元素与硅先做成母合金（例如，硅锑合金、硅硼合金），根据母直拉单晶硅的制备掺杂百度文库2012年8月29日所谓“母合金”就是杂质元素与硅的合金，常用的母合金有硅磷和硅硼两种，杂质浓度是10的2次方和10的3次方。采用“母合金”作为掺杂剂是为了使掺杂量容易控制、更准确。母合金产品介绍合能阳光（中国）公司按照單晶型號的不同﹐母合金主要有以下摻雜方式﹕ 1 N型高阻﹕P型母合金摻雜量有兩部分﹐一部分用來補償N型﹐另一部分將補償后的單晶看稱高阻得到05~6Ω․cm單晶 2 P型高阻﹕摻入掺杂计算理论与实践百度文库

硅晶体的掺杂百度文库

在制备硅、锗单晶时，通常要加入一定数量杂质元素（即掺杂）。加入的杂质元素决定了被掺杂半导体的导电类型、电阻率、少子寿命等电学性能。掺杂元素的选择必须以掺杂过程方便为 2022年4月17日本文不仅对70nm超薄多晶硅的掺杂特性、钝化性能进行了研究,并将磷掺杂超薄多晶硅应用于产业化6英寸(1英寸=254cm)大面积钝化接触电池中,所制备的钝化接触电池的电超薄多晶硅的掺杂钝化及光伏特性研究 Researching因此，本文从掺杂AlB母合金和PAs硅锭两条主线出发，从原子密度角度研究了施主和受主杂质补偿后对多晶硅铸锭导电类型、电阻率和少子寿命等电学性能的影响规律铸造多晶硅的稳定掺杂及电性能研究在1972年国际电子器件会议上,日本富士通公司发表了一种新的半导体制造技术——掺杂多晶硅工艺,该工艺可应用于超高速集成电路和微波晶体管制作在电流型逻辑超高速集成电路及微波晶新的半导体制造技术——掺杂多晶硅工艺百度学术

掺磷多晶硅的干法刻蚀工艺研究 hanspub

2020年12月29日本文主要研究功率器件中多晶硅栅的干法刻蚀工艺。首先阐述了多晶硅在金属– 氧化物–半导体场效应晶体管(MOSFET)中的重要作用,提出当前多晶硅常采用干法刻蚀工艺实多晶硅是光伏产业和电子工业的重要基础材料,其电学性能的好坏直接影响使用效率在实际应用中,多晶硅材料除了纯度要求外,对电阻率和少子寿命等电学性能的调控也非常重要,而电学性能的铸造多晶硅的稳定掺杂及电性能研究百度学术2023年3月29日 19本发明以磷化锌作为掺杂剂制备得到掺磷硅母合金。20在掺磷硅母合金的制备过程中，采用双温区水平炉，在双温区水平炉内装有密封的石英水平安瓿。石英水平安瓿高温段装有石墨舟，石墨舟内放置多晶硅材料，低温掺磷硅母合金的制备方法与流程 X技术网母合金的计算方法下面我打个简单的比方：其实配母合金的原理很简单跟初中时配一定浓度的盐水差不多，母合金中的杂质就类是盐，多少硅就是我们有要配的多少水了。而在整个过程中都是以电阻率形式出现当然我们知道电阻率就能查出其含的杂质含量了。母合金的计算方法百度文库

一种掺杂装置、母合金制备装置及方法与流程

2021年6月18日本发明涉及单晶炉技术领域，特别是涉及一种掺杂装置、母合金制备装置及方法。背景技术随着新能源技术的迅速发展，光伏电池的研发越来越受到人们的重视。硅棒是光伏电池中的重要组成部分。目前在生产硅棒时，其电 2013年1月21日母合金计算公式应掺母合金重量为M=W*C头/ K* C母—C头其中 K———为掺杂剂原素在硅中的平衡分凝系数W——–为多晶硅原料的重量C头—为头部对应的的杂质浓度C母—–为母合金的杂质浓度M——–为应掺母合金重量掺杂的几个重要参数单晶的型号 N还是P 拉制硅单晶的目标电阻率以P型为例太阳能母合金的计算方法道客巴巴M母合金质量 d母合金密度 Cm母合金中杂质浓度 Cm(母合金中杂质浓度) W锗质量 d锗密度 C0(单晶中杂质浓度) M(母合金质量) W锗质量 C0(单晶中杂质浓度) Cm(母合金中杂质浓度) 第十四页，共61页。 • 母合金可以是单晶(或多晶)，通常在单晶炉内掺杂拉制半导体材料第5讲硅、锗晶体中的杂质百度文库摘要：多晶硅是光伏产业和电子工业的重要基础材料,其电学性能的好坏直接影响使用效率在实际应用中,多晶硅材料除了纯度要求外,对电阻率和少子寿命等电学性能的调控也非常重要,而电学性能的好坏与多晶硅中杂质元素的含量分布密切关联冶金法制备的多晶硅材料往往同时含有不同浓度的铸造多晶硅的稳定掺杂及电性能研究百度学术

直拉单晶硅的制备掺杂 renrendoc

2022年3月7日 12、合金。（2）采用中间合金（母合金）掺杂时对母合金重量的计算拉制P型硅或锗单晶时掺入母合金质量的计算：若掺入方式是掺入中间合金，比如硅硼合金的电阻率为1，对应的杂质浓度CH，若在硅中投入中间合金重为W1，因中间合金中的杂质含量相对硅的2023年2月22日素[26,27], 掺杂Co可以激活NiMnTi合金的磁热效应, 微合金化元素B可以增强合金的弹热效应循环稳定性和提升其力学性能[28] 而对NiMnTi合金掺杂Fe的研究较少, 而Fe作为铁磁性元素掺杂进NiMnTi合金会对合金的马氏体相变、磁性能和力学性能产生重要Fe掺杂对NiMnTi全d族Heusler合金马氏体相变和磁性能 2022年4月20日铸造多晶硅在生产过程中还需进行有意掺杂，其目的是改变硅熔体中受主杂质的浓度。行业界 P 型铸造多晶硅的主要掺杂剂是硅硼母合金，其中硼含量在 0025% 左右。掺杂量由硅片的目标电阻率决议，电阻率最优值为 002 ~005 Ω?cm，对应硼的浓度约为什么是多晶硅溅射靶材靶材合金靶材溅射靶材北京瑞弛导电类型和头部电阻率ρ，并由ρN图找出对应的载流子浓度即单晶中的杂质浓度Cs。此CS是多晶硅 • 试拉单晶重×单晶头部杂质浓度=掺杂母合金量×母合金浓度×K(杂质的分凝系数) • 单晶头部浓度由ρ—N 半导体材料第5讲硅、锗晶体中的杂质百度文库

太阳能电池片科普系列——多晶硅铸锭篇北极星太阳能光伏网

2017年12月1日太阳能电池片科普系列——多晶硅铸锭篇中国光伏产业经历了风风雨雨几十年，无论是技术，还是成本都经历了翻天覆地的变化，随着市场对于高效率太阳能电池的需求，多晶硅铸锭工艺也在一丁一点的发生着变化，作为电池片原材料的源头，多晶硅铸锭所扮演的角色也就目前，对于冶金法提纯多晶硅的研究较多，但是对多晶硅铸锭中有意掺杂施主或受主杂质，掺杂元素补偿效应对电学性能影响的研究很少。因此，本文从掺杂AlB母合金和PAs硅锭两条主线出发，从原子密度角度研究了施主和受主杂质补偿后对多晶硅铸锭导电类型、电阻率和少子寿命等电学铸造多晶硅的稳定掺杂及电性能研究掺杂原理介绍知乎 2023年10月26日掺杂原理介绍 Tom聊芯片智造杂质的掺杂是芯片制造中十分重要的一步，几乎所有的集成电路，LED，功率器件等都需要用到掺杂。那么为什么要掺杂？有哪（1）元素掺杂即直接将纯杂质元素加入硅中。它适于制备电阻率102~103Ωcm的重掺杂硅单晶多晶硅母合金掺杂原理2022年2月16日 1本发明涉及溅射硅靶材制备技术领域，具体而言，尤其涉及一种溅射靶材用硅硼母合金及其制备方法。背景技术： 2多晶硅靶材作为一种关键的溅射镀膜材料，在光学、电子等领域应用广泛，目前多晶硅靶材从电阻率上分类主要有高电阻率(电阻率》05ω cm)靶材与低电阻率靶材(电阻率《0002ω cm)。一种溅射靶材用硅硼母合金及其制备方法 X技术网

直拉单晶硅的制备掺杂doc毕业论文文档投稿赚钱网

2017年9月6日常用的母合金PSi、BSi、GeSb、GeGa等合金。（2）采用中间合金（母合金）掺杂时对母合金重量的计算 ①拉制P型硅或锗单晶时掺入母合金质量的计算：若掺入方式是掺入中间合金，比如硅硼合金的电阻率为ρ1，对应的杂质浓度CH，若在硅中投入中间合金重1999年10月1日通过低压化学气相沉积（LPCVD）沉积的多晶硅薄膜具有粗糙的表面和对于在微电子器件中使用而言太高的电阻。然而，通过引入PH 3 / N 2和SiH 4 / N 2对磷进行多晶硅膜原位掺杂可以克服这两个问题。混合液同时进入LPCVD反应器，但是，这种掺杂原位p掺杂多晶硅薄膜的快速热退火 XMOL一种P型硅母合金的制作方法技术领域本发明属于光伏电池技术领域，特别是涉及一种P型硅母合金的制作方法。背景技术光伏行业中的母合金是指化学元素周期表第三主族或第五主族元素与硅的合金，主要有硼硅合金和磷硅合金。母合金的作用是对多晶硅料进行掺杂，从而改变硅中施主杂质(如一种P型硅母合金的制作方法与流程 X技术网2022年11月25日本发明属于太阳能光伏材料技术领域，具体公开了一种掺磷硅母合金的制备方法。采用双温区水平炉，以磷化锌作为掺杂剂。在双温区水平炉内装有密封的石英水平安瓿。石英水平安瓿高温段装有石墨舟，石墨舟内放置多晶硅材料，低温段装有石英坩埚，石英坩埚内放置磷化 CNA 掺磷硅母合金的制备方法 Google Patents

直拉硅单晶的镓元素掺杂方法及所用掺杂装置的制作方法

2010年7月28日母合金掺杂法把掺杂剂和多晶硅料制成母合金，根据母合金中掺杂剂的含量和目标电阻率的要求，计算母合金的用量；把母合金和多晶硅料同时放入石英坩埚中熔化。该方法适用于掺杂剂用量较少、目标电阻率较高时的单晶硅生长。而掺镓单晶杂量。常用的母合金 PSi、BSi、GeSb、GeGa 等合金。（2）采用中间合金（母合金）掺杂时对母合金重量的计算 ①拉制 P 型硅或锗单晶时掺入母合金质量的计算：若掺入方式是掺入中间合金，比如硅硼合金的电阻直拉单晶硅的制备掺杂百度文库例题2：装入60kg高纯多晶硅，拉制成8～12 Ω cm 的掺磷单晶硅，需要掺入 6×103Ω cm 的母合金多少克? 解：以头部为11 Ω cm 计算掺杂较有保证，可查表得对应的目标浓度为 4×1014 ，查母合金6×103Ω cm对应的浓度为 C合金=11×1019 W=60000g 4×1014 拉晶教程百度文库2021年12月24日常用的母合金PSi、BSi、GeSb、GeGa等合金。2采用中间合金母合金掺杂时对母合金重量的计算拉制P型硅或错单晶时掺入母合金质量的计算：假设掺入方式是掺入中间合金，比方硅硼合金的电阻率为p 1,对应的杂质浓度CH,假设在硅中投入中间合金重为WI,因直拉单晶硅的制备掺杂 renrendoc

高温合金母合金百度百科

母合金一般可以分为高温合金母合金、铝合金母合金、双相钢母合金、耐热钢母合金等材质。高温合金母合金是最常用的铸造母合金，主要用于制造飞机发动机叶片，燃料轮机耐热部件，涡轮增压器叶片等。双相钢母合金广泛用于工业泵阀，流体管道、弯头等耐腐蚀部件。（2）母合金掺杂是将掺杂元素与硅先做成母合金（例如，硅锑合金、硅硼合金），根据母合金含的杂质量相应的加入母合金量。（3）中子辐照掺杂（NTD）按上述两种掺杂方式掺杂，由于杂质分凝、蒸发、温度分布等因素的影响使得杂质均匀性很难作好，尤其是高阻材料更困难。直拉单晶硅的制备掺杂百度文库按掺杂剂的形式可分为元素掺杂和合金掺杂。 (1)元素掺杂即直接将纯杂质元素加入硅中。它适于制备电阻率102~103Qcm的重掺杂硅单晶。 (2)母合金掺杂是将掺杂元素与硅先做成母合金(例如，硅锑合金、硅硼合金)，根据母合金含的杂质量相应的加入母合金直拉单晶硅的制备掺杂讲课讲稿百度文库2017年12月1日对多晶硅的原硅料和回收料使用PN测试仪和电阻率进行分档分类，直到达到配比质量，最后计算出需要的掺杂剂质量。硅料的种类大致有多晶原硅料、多晶碳头硅料、多晶硅锭回收的硅料、单晶棒或单晶头、尾料、单晶锅底料、单晶碎硅片、其他半导体工业的下脚料等。太阳能电池片科普系列——多晶硅铸锭篇索比光伏网

掺杂计算理论与实践百度文库

母合金掺杂的计算方法 Quality Assurance 电阻率P的单晶，它的头部对应的的杂质浓度为C头，多晶硅原料的重量为W，母合金的杂质浓度为C母，应掺母合金重量为M M =W*C头/（K*C母—C头），其中K为掺杂剂原素在硅中的平衡分凝系数母合金雜質濃度2024年1月17日第二，LPCVD本征掺杂多晶硅工艺，多晶硅膜均匀性差。 LPCVD制备的掺杂多晶硅层均匀性在±40%，远不及制备本征非晶硅层的均匀性。 LPCVD 制备掺杂多晶硅层时，沉积过程不受晶片表面上化学反应动力学的限制，而是受反应物向表面传输的限制时，导致膜层均匀性大 LPCVD和PECVD制备掺杂多晶硅层中的问题及解决方案2011年9月20日多晶铸锭中掺硼母合金的多少和锭的P\N型有关系吗？P型多晶硅是通过掺杂硼元素来实现，原生多晶硅中都有一定的磷和硼的含量（很少），而磷和硼是最难去除的两种杂质。打个比方硅锭中硼磷单位体积原子含量比为1:50多晶铸锭中掺硼母合金的多少和锭的P\N型有关系吗？百度知道使用 N 型母合金的主要是掺杂时发现低阻了，为了能够让产品电阻率达到使用要求,添加一些 N 型母合金。从原则上说,这是一种违规操作,硅棒尾部将会出现反翘,尾部电阻会比头部高 ຫໍສະໝຸດ Baidu下面我打个简单的比方：其实配母合金的原理很母合金的计算方法百度文库

直拉单晶硅的制备掺杂百度文库

（2）采用中间合金（母合金）掺杂时对母合金重量的计算 ①拉制P型硅或锗单晶时掺入母合金质量的计算：若掺入方式是掺入中间合金，比如硅硼合金的电阻率为ρ1，对应的杂质浓度CH，若在硅中投入中间合金重为W1，因中间合金中的杂质含量相对硅的比例来看一般是很小的。2015年5月20日 3、掺杂计算 4、实验工艺（1）选用一台85型单晶炉拉制三炉，采用20“热场，每炉装80Kg太阳能一级原生多晶硅料，抽空检漏，加热熔化。（2）理论计算值为6176g,考虑磷的蒸发分别按80g、75g、76g高纯赤磷装入石英掺杂器中。（3）将石英掺杂器装 N++重掺磷硅单晶的拉制工艺索比光伏网杂量。常用的母合金 PSi、BSi、GeSb、GeGa 等合金。（2）采用中间合金（母合金）掺杂时对母合金重量的计算 ①拉制 P 型硅或锗单晶时掺入母合金质量的计算：若掺入方式是掺入中间合金，比如硅硼合金的电阻直拉单晶硅的制备掺杂百度文库1989年8月1日反应气体混合物中磷化氢与硅烷浓度的比率是 LPCVD多晶硅沉积中的工艺控制参数，不仅与层的掺杂水平和平面晶片表面上的层生长速率有关，而且与生长程度有关通过从晶片表面转换到沟槽上缘区域中沟槽内的侧壁区域而发生的速率降低。由于沟槽内的生长速率下降，沟槽再填充行为恶化，将选择 LPCVD 多晶硅 (I) 的原位掺杂和沟槽填充。(PH3/SiH4) 比率

IVA族元素掺杂的单晶硅材料：性原理分析 XMOL科学

2023年9月26日本文研究了SiM(M=C,Ge,Sn,Pb;x=0,1,2,3,4)掺杂体系在不同掺杂类型和浓度下晶格常数、稳定性和电子结构性能的变化通过性原理计算确定了IVA族元素的掺杂对单晶硅材料性能的影响。结果表明，Ge、Sn、Pb掺杂体系会产生膨胀效应，其中C掺杂第二，LPCVD本征掺杂多晶硅工艺，多晶硅膜均匀性差。 LPCVD制备的掺杂多晶硅层均匀性在 ± 40%，远不及制备本征非晶硅层的均匀性。 LPCVD 制备掺杂多晶硅层时，沉积过程不受晶片表面上化学反应动力学的限制，而是受反应物向表面传输的限制时，导致膜层均匀性大大下降。LPCVD和PECVD制备掺杂多晶硅层中的问题及解决方案掌握和理解多晶硅的掺杂原理和制备技术，有助于实现SIC MOSFET器件性能的优化和最大化。在实际应用中，根据不同应用需求合理选择掺杂元素的种类和浓度，以及优化多晶硅的结晶度和结晶方向等关键参数，都是实现SIC MOSFET sic mosfet 栅极多晶硅的掺杂元素百度文库本发明属于半导体掺杂，具体涉及。背景技术太阳能电池也称光伏电池，是一种将太阳的光能直接转化为电能的半导体器件。由于它是绿色环保产品，不会引起环境污染，而且是可再生资源，所以在当今能源短缺的情形下，太阳能电池是一种有广阔发展前途的新型能源。目前在生产太阳能级晶一种硅片母合金的制备方法 X技术网

LPCVD原位掺杂多晶硅探究豆丁网

2015年5月30日 2005年11月第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议珠海 LPCVD原位掺杂多晶硅研究赵发展海潮和（中国科学院微电子研究所北京）摘要：利用LPCVD（低压化学气相淀积）进行了五组原位掺杂多晶硅实验，结合膜的生成原理对实验结果进行了分析，并重点对LPCVD原位掺杂多晶硅生长速率慢的多晶硅母合金掺杂原理 T01:03:46+00:00 透视多晶硅：一文深入揭秘多晶硅及其生产工艺知乎 2023年5月12日多晶硅掺杂的方法有扩散法、离子注入法和原位掺杂法三种。扩散掺杂包括在未掺杂的多晶硅上沉积非常重掺杂的硅玻璃。这种玻璃将多晶硅母合金掺杂原理